赤外線パワーLED 850nm OSI3XNE3E1E
参考価格
¥330（税抜）
技術仕様 (Specifications)
短辺8mm
種別チップ
長辺8mm
高さ5.06mm
半減角140°
放射束250mW
逆電圧5V
順電圧1.7V
順電流max.1000mA
ピーク波長850nm
実装タイプ表面実装
赤外・紫外赤外線
動作温度max.85℃
動作温度min.-30℃
許容損失max.2000mW
データシート / 関連資料
製品概要
大出力250mW赤外線パワーLEDです。※端子が変色しています(写真4枚目)。予めご了承ください。