デュアルNPNトランジスタ HN1C01FU-GR
参考価格
¥100（税抜）
技術仕様 (Specifications)
接合構造NPN+NPN
実装タイプ表面実装
ベース電流130mA
ベース電流230mA
許容損失max.200mW
コレクター電流1150mA
コレクター電流2150mA
パッケージタイプSOT323-6/SOT363
直流電流増幅率max.400
直流電流増幅率min.200
トランジション周波数80MHz
エミッターベース間電圧15V
エミッターベース間電圧25V
コレクターベース間電圧160V
コレクターベース間電圧260V
コレクターエミッター間電圧150V
コレクターエミッター間電圧250V
コレクターエミッター飽和電圧0.1V
製品概要
0.65mmピッチの2in1シリーズ低周波増幅用トランジスタです。1つのパッケージに2つの素子が内蔵されており、hFEのリニアリティが優れているため、低周波増幅に適しています。廃盤となった2SC1815に近い電気的特性を持ちます。