NchパワーMOSFET 100V122A PSMQC040N10NS2
参考価格
¥180（税抜）
技術仕様 (Specifications)
端子数8
オン抵抗3.8mΩ
チャネルN
パッケージDFN5060-8L
実装タイプ表面実装
端子ピッチ1.27mmピッチ
許容損失max.125W
ドレイン電流DC122A
ゲート漏れ電流±100nA
パッケージタイプDFN
ゲートソース間電圧±20V
ピークドレイン電流488A
ドレインソース間電圧100V
データシート / 関連資料
製品概要
100V耐圧表面実装型パワーMOSFETです。高耐圧(VDS:100V、Tc=25℃)、大電流(IDM:488A)、低オン抵抗(0.0038Ωtyp@VGS=10V、ID=50A))です。