NchパワーMOSFET 600V20A PJMF190N60E1

NchパワーMOSFET 600V20A PJMF190N60E1

型番: PJMF190N60E1_T0_00001|製造元: PANJIT INTERNATIONAL INC.(パンジット)
参考価格
¥180(税抜)
データシート

技術仕様 (Specifications)

端子数3
オン抵抗157mΩ
チャネルN
パッケージITO220AB-F
実装タイプスルーホール
端子ピッチ2.54mmピッチ
許容損失max.38W
ドレイン電流DC20A
ゲート漏れ電流±100nA
パッケージタイプTO
ゲートソース間電圧±30V
ピークドレイン電流60A
ドレインソース間電圧600V

データシート / 関連資料

製品概要

スーパージャンクション構造のパワーMOSFETです。高速スイッチングと低オン抵抗を実現しています。 こちらはお客様からご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお聞かせください。 商品リクエスト入力フォーム