NchパワーMOSFET 40V120A TK1R4S04PB
参考価格
¥170（税抜）
技術仕様 (Specifications)
端子数3
オン抵抗1.3mΩ
チャネルN
パッケージDPAK+(2-7M1A)
実装タイプ表面実装
端子ピッチ2.3mmピッチ
許容損失max.180W
ドレイン電流DC120A
ゲート漏れ電流±1μA
パッケージタイプTO
ゲートソース間電圧±20V
ピークドレイン電流240A
ドレインソース間電圧40V
データシート / 関連資料
製品概要
シリコンNチャネルMOS形FETです。オン抵抗が低い(1.1mΩtyp)、漏れ電流が低い(10μAmax)といった特徴があります。Vthが低くロジック駆動に適しています。業界標準のTO-252(DPAK)パッケージですので置き換えも容易です。