Pチャネル パワーMOSFET 60V 60A 2SJ555-E
製造元企業情報Manufacturer Info
JAXA 取引実績企業
累積取引 1 件
※ 上記は製造元企業またはその製造拠点の実績・認証情報です。製品そのものの認証や仕様を保証するものではありません。
参考価格
¥1,400（税抜）
技術仕様 (Specifications)
端子数3
オン抵抗17mΩ
チャネルPチャネル
許容損失125W
パッケージTO3P
実装タイプスルーホール
端子ピッチ5.45mmピッチ
ドレイン電流DC-60A
ゲート漏れ電流±10μA
パッケージタイプTO
ゲートソース間電圧±20V
ピークドレイン電流-240A
ドレインソース間電圧-60V
データシート / 関連資料
製品概要
ルネサスエレクトロニクス製のPチャネルパワーMOSFET。ドレインソース間電圧-60V、ドレイン電流-60A、オン抵抗17mΩ、許容損失125W。スルーホール実装、TO3Pパッケージ。