デュアルゲートMOSFET
参考価格
¥230（税抜）
技術仕様 (Specifications)
チャネルN
パッケージ2-2K1B
実装タイプ表面実装
許容損失max.100mW
ドレイン電流DC30mA
ドレインソース間電圧12.5V
ゲート1/ゲート2漏れ電流±50nA
ゲート1/ゲート2ソース間電圧±8V
データシート / 関連資料
製品概要
デュアルゲートFET。TVチューナ、VHF高周波増幅用。混変調特性に優れています。
デュアルゲートFET。TVチューナ、VHF高周波増幅用。混変調特性に優れています。