デュアルNチャンネルMOSFET SI4900DY-T1-E3
参考価格
¥50（税抜）
技術仕様 (Specifications)
種別Nch+Nch
内部接続独立
オン抵抗Nch46mΩ
パッケージSO8
実装タイプ表面実装
動作温度max.150℃
動作温度min.-55℃
許容損失max.2W
ドレイン電流DCNch4.3A
パッケージタイプ2-3U1B
ゲートソース間電圧Nch±20V
ドレインソース間電圧Nch60V
データシート / 関連資料
製品概要
Vishay Intertechnology製のデュアルNチャンネルMOSFET。表面実装パッケージSO8で、独立した2つのNチャンネルMOSFETを内蔵しています。