NチャンネルパワーMOSFET 600V 30.8A
参考価格
¥800（税抜）
技術仕様 (Specifications)
端子数3
オン抵抗73mΩ
チャネルN
パッケージTO3P(2-16C1S)
実装タイプスルーホール
端子ピッチ5.45mmピッチ
許容損失max.230W
ドレイン電流DC30.8A
ゲート漏れ電流±1μA
パッケージタイプTO
ゲートソース間電圧±30V
ピークドレイン電流123A
ドレインソース間電圧600V
データシート / 関連資料
製品概要
スーパージャンクション構造DTMOS採用による低オン抵抗。ゲートスイッチングスピード最適化。エンハンスメントタイプで取り扱いが容易です。