MOSFET 2N7000TA
製造元企業情報Manufacturer Info
認証取得工場 (AS9100 / JIS Q 9100)
9100 (9001:2015)Digitron Semiconductors
9100 (9001:2015)Global Communication Semiconductors, LLC
9100 (9001:2015)Sensitron Semiconductor
9120 (9001:2015)Shenzhen Chimicron Semiconductor Limited
※ 上記は製造元企業またはその製造拠点の実績・認証情報です。製品そのものの認証や仕様を保証するものではありません。
参考価格
¥200（税抜）
技術仕様 (Specifications)
端子数3
オン抵抗1.2Ω
チャネルN
パッケージTO92
実装タイプスルーホール
動作温度max.150℃
動作温度min.-55℃
許容損失max.400mW
ドレイン電流DC200mA
ゲート漏れ電流±10nA
パッケージタイプTO
ゲートソース間電圧±20V
ピークドレイン電流500mA
ドレインゲート間電圧60V
ドレインソース間電圧60V
データシート / 関連資料
製品概要
海外の電子回路製作記事に良く使われている、Nチャネルエンハンスメントタイプ MOSFETです。型番が2SK型番ではありませんが、汎用品としてお使い頂けます。入力容量も小さいですからパワーMOSFETのゲートドライブなどのスイッチング用途に最適です。 こちらはお客様から2N7000のテーピング品ご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお待ちしております。 商品リクエスト入力フォーム