
NchパワーMOSFET 60V100A TK100A06N1
参考価格
¥1,700(税抜)
技術仕様 (Specifications)
端子数3
オン抵抗2.2mΩ
チャネルN
パッケージTO220SIS(SC67/2-10R1B)
実装タイプスルーホール
端子ピッチ2.54mmピッチ
許容損失max.45W
ドレイン電流DC100A
ゲート漏れ電流±0.1μA
パッケージタイプTO
ゲートソース間電圧±20V
ピークドレイン電流584A
ドレインソース間電圧60V
データシート / 関連資料
製品概要
TO-220フルモールドパッケージ、NchパワーMOSFETです。省エネを実現する低耐圧トレンチ構造のU-MOS Ⅷ-Hプロセスにより卓越した低オン抵抗(2.2mΩ@VGS=10V)、低ゲート入力電荷量(Qg:140nC@VGS=10V)を実現しています。スイッチングレギュレータ、DCDCコンバータ等に最適です。漏れ電流も少なくなっています(IDSS:10μA@VDS=60V)。大電流が流せて使いやすいです。
