2N5883 PNPパワートランジスタ

2N5883 PNPパワートランジスタ

型番: 2N5883|製造元: MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP.
参考価格
¥180(税抜)
データシート

技術仕様 (Specifications)

端子数2
接合構造PNP
パッケージTO3
ベース電流-7.5A
実装タイプスルーホール
端子ピッチ10.925mmピッチ
動作温度max.200℃
動作温度min.-65℃
許容損失max.200W
コレクター電流-25A
パッケージタイプTO
直流電流増幅率max.100
直流電流増幅率min.4
トランジション周波数4MHz
エミッターベース間電圧-5V
コレクターベース間電圧-60V
ベースエミッター飽和電圧-2.5V
コレクターエミッター間電圧-60V
コレクターエミッター飽和電圧-4V

データシート / 関連資料

製品概要

TO-3パッケージのPNPパワートランジスタ。台湾MOSPEC社製、旧モトローラ社(現オン・セミコンダクター社)のセカンドソース品です。