シリコンNチャネルIGBT(絶縁ゲートバイポーラートランジスター) GT20J341
参考価格
¥250（税抜）
技術仕様 (Specifications)
接合構造N
パッケージTO220SIS
実装タイプスルーホール
動作温度max.150℃
許容損失max.45W
コレクター電流11A
パッケージタイプTO220F
ゲートエミッター間電圧±25V
コレクターエミッター間電圧600V
コレクターエミッター間飽和電圧1.5V
データシート / 関連資料
製品概要
・モータードライブ用 ・第6世代品