
NchパワーMOSFET 600V80A TK024N60Z1
参考価格
¥1,200(税抜)
技術仕様 (Specifications)
端子数3
オン抵抗0.02Ω
チャネルN
パッケージTO247(2-16L1A)
実装タイプスルーホール
端子ピッチ5.44mmピッチ
許容損失max.506W
ドレイン電流DC80A
ゲート漏れ電流±1μA
パッケージタイプTO
ゲートソース間電圧±30V
ピークドレイン電流320A
ドレインソース間電圧600V
データシート / 関連資料
製品概要
DTMOS Ⅵシリーズは、従来シリーズ、DTMOS Ⅳ-Hと比べて、性能指数であるドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量 (RDS(ON)×Qgd)の低減を実現し、スイッチング電源の高効率化に貢献します。低RDS(ON)×Qgd化を実現し、スイッチング電源の高効率化が可能です。特長・・オン抵抗が低い(RDS(ON)=0.02Ωtyp)、低容量により高速で取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。パッケージは海外で一般的で汎用性の高いTO-247(TO-3Pより一回り大きい。金属フランジが広く排熱しやすい)で、置き換えも容易です。 こちらはお客様からご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお聞かせください。 商品リクエスト入力フォーム
