すべての製品 (74 件)

メーカー: 東芝セミコンダクター
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トランジスタ TTC019 50V 5A
TTC019
トランジスタ

トランジスタ TTC019 50V 5A

NPN型チップトランジスタ。直流電流増幅率が高く、コレクター電流定格が大きく、コレクタエミッタ間飽和電圧が低い。スイッチング時間が速い。

低雑音トランジスタ 2SC2240GR 120V 100mA
2SC2240-GR
トランジスタ

低雑音トランジスタ 2SC2240GR 120V 100mA

2SC2240はNPN低周波低雑音トランジスタです。低信号源インピーダンスでの雑音指数が小さくなるように設計されており、パルス性雑音も少ないため、ステレオやテープデッキなどのイコライザアンプの初段低雑音増幅用として、高いS/N比特性を実現します。

スレッショルド可変型ドライバー TD62602P
TD62602P
電源・ドライバIC

スレッショルド可変型ドライバー TD62602P

TD62602Pは、6回路入りのスレッショルドフリードライバーです。反転型・オープンコレクタで、電源、GND、入出力端子はCMOSの4049、4050と同じです。基準電圧端子(Vref)は内部で1/2VCCになるように設定されていますが、外付抵抗により可変可能です。

フォトカプラ フォトリレー 30V 4A TLP3553A
TLP3553A
光電センサー・素子

フォトカプラ フォトリレー 30V 4A TLP3553A

フォトMOSFETと赤外発光ダイオードを光結合させたDIPタイプフォトリレーです。オン抵抗が低く、許容オン電流は4Aと大きく、様々なパワーライン制御に適しています。

Nチャンネル J-FET 2SK2145-GR
2SK2145-GR
トランジスタ

Nチャンネル J-FET 2SK2145-GR

低周波低雑音増幅用トランジスタ。特性が揃った2素子をスーパーミニ(5端子)パッケージに内蔵。

ショットキーバリアダイオード 60V 2A
CUHS20F60
ダイオード

ショットキーバリアダイオード 60V 2A

小型表面実装ショットキーバリアダイオード。高耐圧(60V)、大電流(2A、ピーク10A)、低順電圧(0.35V@500mA)で、低リーク電流(23μA)の優れた性能。

フォトカプラー 赤外LED+フォトIC TLP5754
TLP5754
光電センサー・素子

フォトカプラー 赤外LED+フォトIC TLP5754

赤外発光ダイオードと高利得・高速の集積回路受光ICチップを組み合わせた6ピンSO6Lパッケージのフォトカプラーです。DIP8フォトカプラーに比べて実装面積が50%小型で、実装面積を縮小できます。受光ICチップにはシールドが施され、±35 kV/μsの高いコモンモード過渡耐性により、入出力間の耐ノイズ性に優れています。レールトゥレール出力でシステムの安定動作と良好なスイッチング特性を実現します。

フォトカプラ フォトリレー 100V 2A TLP241B
TLP241B
光電センサー・素子

フォトカプラ フォトリレー 100V 2A TLP241B

TLP241Bは、フォトMOSFETと赤外発光ダイオードを光結合した4ピンDIPフォトリレーです。絶縁耐圧が5000Vrmsと高く、強化絶縁が求められる用途に適しています。

PチャンネルパワーMOSFET 100V 12A 2SJ380
2SJ380
トランジスタ・FET

PチャンネルパワーMOSFET 100V 12A 2SJ380

低Vth(4Vで完全ON)でロジック駆動に最適

ショットキーバリアダイオード 60V 2A
CUHS20S60H3F(B
ダイオード

ショットキーバリアダイオード 60V 2A

60V耐圧の面実装ショットキーバリアダイオードです。小型ながら高耐圧(60V)、大電流(2A、ピーク10A)、低い順電圧(0.28V@500mA)を特徴とし、超高信頼度製品です。

フォトカプラー 光結合型デルタシグマ変調器
TLP7930
光電センサー・素子

フォトカプラー 光結合型デルタシグマ変調器

TLP7930は、高精度∆∑型ADコンバータを内蔵し、入力されたアナログ電圧を1bitのデータ列に変換する光絶縁型ADコンバータです。

PチャンネルパワーMOSFET 60V 20A 2SJ349
2SJ349
トランジスタ・FET

PチャンネルパワーMOSFET 60V 20A 2SJ349

Vthが低く、4Vで完全にONになるためロジック駆動に適したPチャンネルパワーMOSFETです。

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