シリコンNチャネルIGBT IRGIB10B60KD1P

シリコンNチャネルIGBT IRGIB10B60KD1P

型番: IRGIB10B60KD1P|製造元: International Rectifier
製造元企業情報Manufacturer Info
認証取得工場 (AS9100 / JIS Q 9100)
9100 (9001:2015)International Rectifier HiRel Products Inc.

※ 上記は製造元企業またはその製造拠点の実績・認証情報です。製品そのものの認証や仕様を保証するものではありません。

参考価格
¥200(税抜)
データシート

技術仕様 (Specifications)

接合構造N
パッケージTO220FULLPAK
実装タイプスルーホール
動作温度max.150℃
動作温度min.-55℃
許容損失max.45W
コレクター電流10A
パッケージタイプTO220F
ゲートエミッター間電圧±20V
コレクターエミッター間電圧600V
コレクターエミッター間飽和電圧1.7V

データシート / 関連資料

製品概要

秋月電子通商で販売されている、International Rectifier社製のシリコンNチャネル絶縁ゲートバイポーラトランジスタです。型番はIRGIB10B60KD1Pです。