HEXFET®シリーズのNchパワーMOSFETです。極めて低いオン抵抗に加え、高速スイッチング対応で幅広い用途に適しています。放熱パッドを基板に直接貼り付ける形状、また、リードを複数備えることで、高い放熱性を実現しております。 ■特長 ・HEXFET® ・極めて低いオン抵抗 ・アバランシェ耐量保証
高電圧600V・高速対応のハーフブリッジ ドライバICです。ハイパワーMOSFET・IGBTを余裕で駆動できる出力電流能力があります。パワーMOSFET・IGBTを駆動する高耐電圧・高速ドライバです。ハイサイドはフローティング電源供給チャネルとなっています。制御用ロジック入力部は、標準的なCMOS・LS-TTLに準拠しています。
Infineon(旧International Rectifier)製の2素子入りパワーMOSFETです。低ON抵抗でゲートドライブに最適です。
IR（インターナショナル・レクティファイアー）製のNチャンネルパワーMOSFETです。
設定可能な過電流保護、設定可能なソフトスタート、プリバイアススタートアップ (詳細はメーカーマニュアルをご参照ください)
IRの超低オン抵抗2mΩ(max)高耐圧75V NchパワーMOSFETです。
International Rectifier社製のNチャネル絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）です。高電圧・大電流のスイッチング用途に適しています。
International Rectifier製のNチャネル絶縁ゲートバイポーラトランジスタです。高電圧・大電流制御に適しています。
秋月電子通商で販売されている、International Rectifier社製のシリコンNチャネル絶縁ゲートバイポーラトランジスタです。型番はIRGIB10B60KD1Pです。
DC-DCコンバーターに適したSMPS MOSFET。HEXFET®技術により、低ゲート-ドレイン電荷でスイッチング損失を低減。
HEXFET®シリーズのNチャンネルパワーMOSFETです。極めて低いオン抵抗に加え、高速スイッチング対応で幅広い用途に適しています。特徴：HEXFET®、極めて低いオン抵抗、アバランシェ耐量保証、鉛フリー
HEXFET®シリーズのNチャンネルパワーMOSFETです。極めて低いオン抵抗に加え、高速スイッチングに対応しており、幅広い用途に適しています。 特徴： - HEXFET® - 極めて低いオン抵抗とゲートインピーダンス - アバランシェ耐量保証 - 鉛フリー - Vthが低いのでロジック向けに最適
