NチャンネルパワーMOSFET 30V 260A IRLB3813PBF
製造元企業情報Manufacturer Info
認証取得工場 (AS9100 / JIS Q 9100)
9100 (9001:2015)International Rectifier HiRel Products Inc.
※ 上記は製造元企業またはその製造拠点の実績・認証情報です。製品そのものの認証や仕様を保証するものではありません。
参考価格
¥140（税抜）
技術仕様 (Specifications)
端子数3
オン抵抗1.6mΩ
チャネルN
パッケージTO220AB
実装タイプスルーホール
端子ピッチ2.54mmピッチ
動作温度max.175℃
動作温度min.-55℃
許容損失max.230W
ドレイン電流DC120A
ゲート漏れ電流±100nA
パッケージタイプTO
ゲートソース間電圧±20V
ピークドレイン電流1050A
ドレインソース間電圧30V
データシート / 関連資料
製品概要
HEXFET®シリーズのNチャンネルパワーMOSFETです。極めて低いオン抵抗に加え、高速スイッチングに対応しており、幅広い用途に適しています。 特徴： - HEXFET® - 極めて低いオン抵抗とゲートインピーダンス - アバランシェ耐量保証 - 鉛フリー - Vthが低いのでロジック向けに最適