NchパワーMOSFET 60V28A MTB010N06RJ3

NchパワーMOSFET 60V28A MTB010N06RJ3

型番: MTB010N06RJ3|製造元: CYStech Electronics Corp.
参考価格
¥200(税抜)
データシート

技術仕様 (Specifications)

端子数3
オン抵抗11mΩ
チャネルN
パッケージTO252
実装タイプ表面実装
端子ピッチ2.286mmピッチ
動作温度max.150℃
動作温度min.-55℃
許容損失max.31W
ドレイン電流DC28A
ゲート漏れ電流±100nA
パッケージタイプTO
ゲートソース間電圧±20V
ピークドレイン電流112A
ドレインソース間電圧60V

データシート / 関連資料

製品概要

CystechのNch MOSFETです。中耐圧(60V)、大電流(28A)、低Qg(20nC)を特徴とします。Vgs=4.5Vでのオン抵抗は24mΩと小さく、ロジックレベルでの駆動が可能です。業界標準のTO-252(DPAK)パッケージで放熱に優れています。 こちらはお客様からご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお待ちしております。 商品リクエスト入力フォーム