定格VCEO=60V、IC=2Aの汎用NPNトランジスターです。TO-92Lパッケージとしては高耐圧(VCEO:60V、VCBO:120V)、大電流(Ic:2A)です。fTは高く(250MHz)高周波用途にも適しています。VCE(SAT)は350mVmaxと低くスイッチ用途にも適しています。hFEは平坦でオーディオ用途にも適しています。2WクラスのB級プッシュプルアンプ等に適しています。
BTD1768A3は低周波アンプのドライバー・出力段向けに設計された汎用NPNトランジスターです。定格はVCEO=80V、Ic(max)=1Aです。hFEは平坦でアナログ信号の増幅に適します。 こちらはお客様からご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお聞かせください。 商品リクエスト入力フォーム
定格VCEO=50V、Ic=600mAの汎用NPNトランジスターです。コレクタ遮断電流(ICBO)は10nAと低く、高耐圧(VCBO=75V)、大電流(Ic=600mA)が特徴です。コレクタ容量(Cob)は8.3pFと低く、高周波の信号処理に適します(fT=100MHz)。hFEは平坦でアナログ信号の増幅に適します。 こちらはお客様からご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお聞かせください。 商品リクエスト入力フォーム
BTN5551A3は汎用のNPNトランジスターです。高耐圧・大電流です。TO-92パッケージとしては高いコレクター・エミッター間降伏電圧(BVCEO=160V @Ic=1mA) 、コレクタ容量は6pF(max)と低いのが特徴です。hFEは平坦でアナログ信号の増幅に適します。 こちらはお客様からご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお聞かせください。 商品リクエスト入力フォーム
600V高耐圧のNchパワーMOSFETです。TO-92パッケージとしては高耐圧(BVDSS=600V)、高耐圧品としては大電流(ID=0.8A@VGS=10V、Tc=25℃)でオン抵抗も低い(7.8Ω@VGS=10V、ID=0.5A)です。
定格VCEO=30V、IC=2Aの汎用NPNトランジスターです。
表面実装タイプのNch MOSFETです。低オン抵抗(24mΩ@Vgs=4.5V、ID=5A)、低ゲート電荷量(Qg=9nC)、大電流(5A)を特徴とします。スレッショルド電圧か低く、ロジック駆動に最適です。業界標準のSOT-23パッケージですから置き換えも容易です。
MTB7D0N06RJ3は低オン抵抗(6mΩ@VGS=10V)、高速スイッチング特性を特長とします。業界標準のTO-252パッケージですので置き換えも容易です。
CystechのNch MOSFETです。中耐圧(60V)、大電流(36A)、低Qg(19nC)を特徴とします。Vgs=4.5Vでのオン抵抗は23mΩと小さく、ロジックレベルでの駆動が可能です。業界標準のTO-252(DPAK)パッケージで放熱に優れています。
CystechのNch MOSFETです。中耐圧(60V)、大電流(28A)、低Qg(20nC)を特徴とします。Vgs=4.5Vでのオン抵抗は24mΩと小さく、ロジックレベルでの駆動が可能です。業界標準のTO-252(DPAK)パッケージで放熱に優れています。 こちらはお客様からご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお待ちしております。 商品リクエスト入力フォーム
CYStechのPch MOSFETです。小型、大容量、小ゲート容量を特徴とします。
CYStechのPch MOSFETです。小型、低オン抵抗、大容量を特徴とします。
