NチャンネルパワーMOSFET 60V 85A H7N0602LD-E
製造元企業情報Manufacturer Info
JAXA 取引実績企業
累積取引 1 件
※ 上記は製造元企業またはその製造拠点の実績・認証情報です。製品そのものの認証や仕様を保証するものではありません。
参考価格
¥250（税抜）
技術仕様 (Specifications)
端子数3
オン抵抗4.1mΩ
チャネルN
パッケージLDPAK
実装タイプスルーホール
端子ピッチ2.54mmピッチ
ゲート漏れ電流±10μA
許容損失 (最大)100W
ドレイン電流 (DC)85A
パッケージタイプTO
ゲートソース間電圧±20V
ピークドレイン電流340A
ドレインソース間電圧60V
データシート / 関連資料
製品概要
低オン抵抗: RDS(ON) = 4.1mΩ (typ)。低電圧駆動(4.5V駆動)。高速スイッチング。