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メーカー: ルネサスエレクトロニクス株式会社
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PチャネルパワーMOSFET 20V 0.4A 2SJ648-T1-A/JM
2SJ648-T1-A/JM
パワー半導体・ドライバIC

PチャネルパワーMOSFET 20V 0.4A 2SJ648-T1-A/JM

2SJ648は、2.5V電源系による直接駆動が可能なパワーMOSFETです。低オン抵抗でスイッチング特性に優れており、ポータブル機器の電源スイッチに最適です。業界標準のSC-75(SOT-416)パッケージで置き換えも容易です。

RS485レシーバー
ISL32173EFBZ
汎用集積回路 (IC)

RS485レシーバー

ルネサスエレクトロニクス(旧インターシル)のRS485/RS422レシーバーです。

E2エミュレーター
RTE0T00020KCE00000R
プログラミング・開発ツール

E2エミュレーター

E2エミュレータは、開発効率の向上をコンセプトとした高機能オンチップデバッギングエミュレータ兼フラッシュプログラマです。ダウンロード速度はE1エミュレータよりも最大2倍に高速化。各種ソリューションとの組み合わせにより、開発時間の削減に貢献します。

NチャンネルパワーMOSFET 100V 80A RJK1008DPP
RJK1008DPP
パワー半導体・ドライバIC

NチャンネルパワーMOSFET 100V 80A RJK1008DPP

NチャンネルパワーMOSFET、ドレイン-ソース間電圧100V、ドレイン電流80A、TO220FNパッケージ

NチャンネルパワーMOSFET 100V 25A
H7N1004FM-E
トランジスタ・FET

NチャンネルパワーMOSFET 100V 25A

低オン抵抗、低駆動電力、低電圧駆動(4.5V駆動)が特徴のNチャンネルパワーMOSFETです。

Pチャンネル MOSFET 60V 5A (2SJ496TZ-E)
2SJ496TZ-E
トランジスタ・FET

Pチャンネル MOSFET 60V 5A (2SJ496TZ-E)

ルネサスエレクトロニクス製 Pチャンネル MOSFET。ドレインソース間電圧-60V、ドレイン電流-5A、実装タイプはスルーホール。

PチャネルパワーMOSFET 60V 36A 2SJ673-AZ
2SJ673-AZ
パワー半導体・ドライバIC

PチャネルパワーMOSFET 60V 36A 2SJ673-AZ

PチャネルパワーMOSFET、ドレイン-ソース間電圧-60V、ドレイン電流±36A、実装タイプ: スルーホール、パッケージ: TO220

Nチャンネル MOSFET 2SK4150TZ-E (250V 0.4A)
2SK4150TZ-E
トランジスタ・FET

Nチャンネル MOSFET 2SK4150TZ-E (250V 0.4A)

低オン抵抗 (4Ω typ.)、低電流駆動のNチャンネルMOSFETです。

NチャンネルパワーMOSFET 60V 85A H7N0602LD-E
H7N0602LD-E
パワー半導体・ドライバIC

NチャンネルパワーMOSFET 60V 85A H7N0602LD-E

低オン抵抗: RDS(ON) = 4.1mΩ (typ)。低電圧駆動(4.5V駆動)。高速スイッチング。

NチャンネルMOSFET 2SK1589
2SK1589-T1B-AT
トランジスタ・FET

NチャンネルMOSFET 2SK1589

2SK1589は、Nチャネル縦型MOSFETで、5V電源系ICの出力による直接駆動が可能なスイッチング素子です。5V電源系ICから直接駆動でき、高入力インピーダンスのため、駆動電流を考慮する必要がありません。

PチャンネルパワーMOSFET 60V 5A
2SJ527L-E
パワー半導体・ドライバIC

PチャンネルパワーMOSFET 60V 5A

低オン抵抗、小駆動電力、低電圧駆動(4V駆動)、高速スイッチングが特徴のPチャンネルパワーMOSFETです。

NチャンネルパワーMOSFET 60V 10A 2SK2925L-E
2SK2925L-E
パワー半導体・ドライバIC

NチャンネルパワーMOSFET 60V 10A 2SK2925L-E

低オン抵抗、低電圧駆動(4V駆動)、高速スイッチングが特徴のNチャンネルパワーMOSFETです。