NチャンネルパワーMOSFET 60V 10.3A
参考価格
¥60（税抜）
技術仕様 (Specifications)
端子数8
オン抵抗9.3mΩ
チャネルN
許容損失40W
パッケージPowerDI3333-8(Type_UX)
実装タイプ表面実装
端子ピッチ0.65mmピッチ
ドレイン電流DC10.3A
動作温度(最大)150℃
動作温度(最小)-55℃
ゲートリーク電流±100nA
パッケージタイプSON
ゲートソース間電圧±20V
ピークドレイン電流45A
ドレインソース間電圧60V
データシート / 関連資料
製品概要
60V耐圧のエンハンスメントモードパワーMOSFETです。中耐圧(60V)、低オン抵抗(9.3mΩ@10V)、低ゲート電荷量(26.6nC@4.5V)が特徴で、低Vthによりロジック駆動に適しています。