Nチャンネル MOSFET INK021ABS1-T112
参考価格
¥80（税抜）
技術仕様 (Specifications)
端子数3
オン抵抗200mΩ
チャネルN
パッケージTO92S
実装タイプスルーホール
端子ピッチ2.5mmピッチ
許容損失max.600mW
ドレイン電流DC1.4A
ゲート漏れ電流±10μA
パッケージタイプTO
ゲートソース間電圧±20V
ピークドレイン電流8A
ドレインソース間電圧100V
データシート / 関連資料
製品概要
イサハヤ電子のNチャンネルMOSFET。低電圧駆動、低ON抵抗のため、電池駆動回路やポータブル機器の高速スイッチング、アナログスイッチ用途に最適です。