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トランジスター 2SC5395-F
2SC5395-Fは低周波電圧増幅用のNPNトランジスタです。こちらはFランクでhFEは250～500です。コレクタ飽和電圧が低い(VCE(sat)=0.3V最大(@Ic=100mA、IB=10mA))、直流電流増幅率の直線性が良いといった特徴があります。 こちらはお客様から、「イサハヤ電子(株)様は日本国内でディスクリート(TO-92等、スルーホール部品)の小信号トランジスタを製造している会社で御座います。その中でもリニアリティが良く、使いやすいトランジスタがあるので扱ってほしい」と、ご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお聞かせください。 商品リクエスト入力フォーム
トランジスター 2SC5398ｰS
2SC5398ｰSは低周波電圧増幅用のNPNトランジスタです。小信号増幅用に設計されていますので、こちらはSランクでhFEは270～560です。コレクタ飽和電圧が低い(VCE(sat)= 0.3V最大(@Ic=30mA、IB=1.5mA))、直流電流増幅率の直線性が良いといった特徴があります。 こちらはお客様から、「イサハヤ電子(株)様は日本国内でディスクリート(TO-92等、スルーホール部品)の小信号トランジスタを製造している会社で御座います。その中でもリニアリティが良く、使いやすいトランジスタがあるので扱ってほしい」と、ご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお聞かせください。 商品リクエスト入力フォーム
トランジスター ISA1993AS1-F
ISA1993AS1-Fは低周波電圧増幅用のPNPトランジスタです。こちらはFランクでhFEは250～500です。コレクタ飽和電圧が低い(VCE(sat)= -0.3V最大(@Ic=-100mA、IB=-10mA))、直流電流増幅率の直線性が良いといった特徴があります。 こちらはお客様から、「イサハヤ電子(株)様は日本国内でディスクリート(TO-92等、スルーホール部品)の小信号トランジスタを製造している会社で御座います。その中でもリニアリティが良く、使いやすいトランジスタがあるので扱ってほしい」と、ご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお聞かせください。 商品リクエスト入力フォーム
漏電検出IC RT8H064C
面実装型の漏電検出ICです。VRピンとINピンに繋いだZCT(零相変流器)と漏電検出抵抗によって漏電を検知すると、ラッチ出力形式で異常出力を保持します。
Nch MOSFET INK0310CC1
シリコンNチャネルMOSFETです。パッケージは表面実装の0.95mmピッチSC-59です。VGSが低く低電圧駆動が可能でオン抵抗が低く設計されており、ポータブル機器等の低電圧用途に最適です。 こちらはお客様からご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお聞かせください。 商品リクエスト入力フォーム
ゲートドライバー RT8H102C
RT8H102Cは、IGBTゲートプリドライブ用に開発されたICです。動作停止電圧(標準:12.4V)のUVLO回路を内蔵しており、20Vシステムに最適な仕様となっています。
ゲートドライバー RT8H112C
RT8H112Cは、IGBTゲートプリドライブ用に開発されたICです。パワーカット回路を内蔵しておりON/OFF端子の印加電圧を変化させることにより外部から製品の動作の開始/停止の制御を可能としています。また、電源電圧が約16V以上になると動作を開始し、約14V以下になると動作を停止させるUVLO回路も内蔵しています。
過電流・過電圧検出IC RT8H020C
RT8H020Cは過電流検出機能と過電圧検出機能の2つの機能を持ったICです。過電流または過電圧を検出すると、異常信号(LOW)を出力します。過電流検出機能は外部の電流検出用抵抗の両端の電圧をモニターすることで過電流を検出します。過電圧検出機能は検出対象の電圧を外部の抵抗で分圧してモニターし、過電圧を検出します。過電流や過電圧の検出値は、外部に接続する抵抗で設定が可能です。
Nch MOSFET INK0410AC1
シリコンNチャネルMOSFETです。パッケージは表面実装の0.95mmピッチSC-59です。低電圧駆動が可能でオン抵抗が低く設計されており、ポータブル機器等の低電圧用途に最適です。
Nチャネル J-FET 2SK2881-T112-E (低周波低雑音増幅用)
2SK2881は、小形樹脂封止形のNチャネル接合形電界効果トランジスタです。低周波低雑音増幅用に設計されており、特に雑音特性と大きな順伝達アドミタンス特性に優れています。オーディオ機器の電圧増幅器に最適で、ドレイン・ソース間のON抵抗が小さいため、アナログスイッチとしても利用可能です。
Nチャンネル MOSFET INK021ABS1-T112
イサハヤ電子のNチャンネルMOSFET。低電圧駆動、低ON抵抗のため、電池駆動回路やポータブル機器の高速スイッチング、アナログスイッチ用途に最適です。