シリコン双方向スイッチング素子 BS08D
参考価格
¥35（税抜）
技術仕様 (Specifications)
種別SBS
保持電流1.5mA
パッケージTO92S
実装タイプスルーホール
許容損失最大450mW
パッケージタイプTO92
ブレークオーバ電圧8V
ブレークオーバ電流200μA
繰り返しピーク電流1A
ブレークオーバ電圧シンメトリ0.5V
データシート / 関連資料
製品概要
シリコンプレーナ拡散技術で製造された双方向スイッチング特性を持つ集積回路。双方向でほぼ対称な静特性を持ち、スイッチング電圧は7～9V、温度係数は0.01%/℃。トライアック位相制御回路では、BS08Dのゲートを利用してヒステリシス特性を軽減し、ボリュームにより制御角を約10°～160°の範囲でスムーズに位相制御可能。