スイッチング素子 (1 件)

シリコン双方向スイッチング素子 BS08D

シリコンプレーナ拡散技術で製造された双方向スイッチング特性を持つ集積回路。双方向でほぼ対称な静特性を持ち、スイッチング電圧は7～9V、温度係数は0.01%/℃。トライアック位相制御回路では、BS08Dのゲートを利用してヒステリシス特性を軽減し、ボリュームにより制御角を約10°～160°の範囲でスムーズに位相制御可能。