半導体素子 (12 件)

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Nチャネル J-FET 2SK2881-T112-E (低周波低雑音増幅用)
2SK2881-T112-E
半導体素子

Nチャネル J-FET 2SK2881-T112-E (低周波低雑音増幅用)

2SK2881は、小形樹脂封止形のNチャネル接合形電界効果トランジスタです。低周波低雑音増幅用に設計されており、特に雑音特性と大きな順伝達アドミタンス特性に優れています。オーディオ機器の電圧増幅器に最適で、ドレイン・ソース間のON抵抗が小さいため、アナログスイッチとしても利用可能です。

デジタルリバーブIC FV-1
FV-1
半導体素子

デジタルリバーブIC FV-1

Spin SemiconductorのデジタルリバーブICです。内部のROMに8種類のプリセットが書き込まれているため、周辺回路を作成するだけでICの評価が可能です。開発環境や関連情報はメーカーのHPで公開されています。ステレオADC、DACが内蔵されており、アナログ部分は入出力のスプリッタとミキサを用意するだけでエフェクターとして使用できます。

Pチャネル J-FET 2SJ498-C
2SJ498-C
半導体素子

Pチャネル J-FET 2SJ498-C

2SJ498は、小型樹脂封止形のPチャネル接合形電界効果トランジスタです。48Vコンデンサマイクロフォン給電(ファントム電源)、低周波電圧増幅、アナログスイッチ用途に設計されており、特に|yfs|特性、RDS(ON)特性に優れ、オーディオ・ビデオ機器をはじめとする電子機器に最適です。

NチャンネルJ-FET 2SK208-O
2SK208-O
半導体素子

NチャンネルJ-FET 2SK208-O

Nチャンネル接合型FET。2SK30A(製造終了品)の最新SMD版。

Pチャネル J-FET 2SJ498-D
2SJ498-D
半導体素子

Pチャネル J-FET 2SJ498-D

2SJ498は、小型樹脂封止形のPチャネル接合形電界効果トランジスタです。48Vコンデンサマイクロフォン給電用(ファントム電源)、低周波電圧増幅、アナログスイッチ用途に設計されており、特に|yfs|特性、RDS(ON)特性に優れ、オーディオ・ビデオ機器をはじめとする電子機器に最適です。

Nチャンネル J-FET MMBFJ310
MMBFJ310
半導体素子

Nチャンネル J-FET MMBFJ310

UHF/VHF低雑音増幅用 J-FET。旧Siliconix(現Vishay)のU310のSMD版。フェアチャイルド(現オンセミ)製。ゲート接地での高周波増幅、発振、混合回路に最適。

RS422ラインドライバ IC
DS8923M
半導体素子

RS422ラインドライバ IC

RS422ラインドライバのICです。

Nチャンネル J-FET 2SK2145-Y
2SK2145-Y
半導体素子

Nチャンネル J-FET 2SK2145-Y

低周波低雑音増幅に適した電界効果トランジスタ(FET)です。スーパーミニ(5端子)パッケージに2素子を内蔵しています。

Nチャンネル J-FET 2SK2145-GR
2SK2145-GR
半導体素子

Nチャンネル J-FET 2SK2145-GR

低周波低雑音増幅用トランジスタ。特性が揃った2素子をスーパーミニ(5端子)パッケージに内蔵。

NチャネルIGBT IRG4IBC30WPBF
IRG4IBC30WPBF
半導体素子

NチャネルIGBT IRG4IBC30WPBF

International Rectifier社製のNチャネル絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)です。高電圧・大電流のスイッチング用途に適しています。

NチャネルIGBT IRG4IBC30UDPBF
IRG4IBC30UDPBF
半導体素子

NチャネルIGBT IRG4IBC30UDPBF

International Rectifier製のNチャネル絶縁ゲートバイポーラトランジスタです。高電圧・大電流制御に適しています。

シリコンNチャネルIGBT IRGIB10B60KD1P
IRGIB10B60KD1P
半導体素子

シリコンNチャネルIGBT IRGIB10B60KD1P

秋月電子通商で販売されている、International Rectifier社製のシリコンNチャネル絶縁ゲートバイポーラトランジスタです。型番はIRGIB10B60KD1Pです。