パワー半導体・ドライバIC (61 件)
NチャンネルパワーMOSFET 80V 58A TK6R8A08QM
TO-220パッケージ(フルモールド)のNチャンネルパワーMOSFETです。省エネを実現する低耐圧トレンチ構造のU-MOS X-Hプロセスにより低オン抵抗(4.1mΩ@VGS=10V)、低ゲート入力電荷量(54nC@VGS=10V)を実現しています。
PチャネルパワーMOSFET 20V 0.4A 2SJ648-T1-A/JM
2SJ648は、2.5V電源系による直接駆動が可能なパワーMOSFETです。低オン抵抗でスイッチング特性に優れており、ポータブル機器の電源スイッチに最適です。業界標準のSC-75(SOT-416)パッケージで置き換えも容易です。
ファストリカバリーダイオード 400V2A 20NFA40
旧日本インターナショナル整流器株式会社(現京セラ)のファストリカバリーダイオードです。ファストリカバリダイオード(FRD)は、逆回復時間に特に配慮した設計のダイオードで、高速ダイオードとも呼ばれます。20NFA40-FC5は逆回復時間(trr)が35ns(保証値)と非常に短く、DC/DCコンバータ、スイッチング電源、フライホイール、ハイエンドオーディオ用に適しています。
ファストリカバリーダイオード 400V2A 20NFA40
旧日本インターナショナル整流器株式会社(現京セラ)のファストリカバリーダイオードです。ファストリカバリダイオード(FRD)は、逆回復時間に特に配慮した設計のダイオードで、高速ダイオードとも呼ばれます。20NFA40-FC5は逆回復時間(trr)が35ns(保証値)と非常に短く、DC/DCコンバータ、スイッチング電源、フライホイール、ハイエンドオーディオ用に適しています。
ファストリカバリーダイオード 400V2A 20NFA40
旧日本インターナショナル整流器株式会社(現京セラ)のファストリカバリーダイオードです。ファストリカバリダイオード(FRD)は、逆回復時間に特に配慮した設計のダイオードで、高速ダイオードとも呼ばれます。20NFA40-FC5は逆回復時間(trr)が35ns(保証値)と非常に短く、DC/DCコンバータ、スイッチング電源、フライホイール、ハイエンドオーディオ用に適しています。
NチャンネルパワーMOSFET 60V 10.3A
60V耐圧のエンハンスメントモードパワーMOSFETです。中耐圧(60V)、低オン抵抗(9.3mΩ@10V)、低ゲート電荷量(26.6nC@4.5V)が特徴で、低Vthによりロジック駆動に適しています。
NチャンネルパワーMOSFET 40V 250A TKR74F04PB
40V耐圧、低オン抵抗(0.6mΩ)を特徴とするパワーMOSFET。低耐圧トレンチ構造のU-MOS IX-Hプロセスにより、卓越した低オン抵抗を実現。出力電荷量を低減することで出力損失を改善。
NチャンネルパワーMOSFET 500V 9.7A
NチャンネルMOSFET。スーパージャンクション構造と第4世代DTMOSにより低オン抵抗(RDS(ON)=0.327Ωtyp)。容易なエンハンスメントタイプ。業界標準DPAKパッケージで既存MOSFETの置き換えに最適。
ショットキーバリアダイオード SBM1060LSS
ショットキーバリアダイオードは、金属と半導体（主にn型半導体）を接合して作られるダイオードです。一般的なPN接合ダイオードとは異なり、この金属と半導体の間にできる電位の壁（ショットキー障壁）を利用して整流作用を発生させます。PN接合ダイオードに比べて、以下の2つの点で優れています。①順方向電圧（VF）が低い:一般的なシリコンPN接合ダイオードの順方向電圧が0.6Vから0.7V程度であるのに対し、ショットキーバリアダイオードは0.15Vから0.45V(本商品は0.49Vtyp)と低いです。これにより、電力損失を大幅に抑えることができます。②逆回復時間（trr）が非常に短い:PN接合ダイオードでは、電流が順方向から逆方向に切り替わる際に、少数キャリアが消滅するまでに時間がかかります（逆回復時間）。しかし、ショットキーバリアダイオードは、多数キャリア（電子）のみが電流を運ぶため、この逆回復時間がほとんどなく、非常に高速なスイッチング動作が可能です。
ランプドライブ用ローサイドパワースイッチ
TPD1007Sは、AC全波整流された脈流で点灯するICです。ランプ点灯時の大電流を抑制し、ランプの寿命を改善します。TTLレベル(5V)で駆動可能で、マイコン制御に最適です。過電流保護回路、短絡保護、過電圧保護回路を内蔵し、オン抵抗が小さいMOS構造です。5Aで電流制限がかかります。
