DRV8434を使用したステッピングモータードライバモジュールです。
A4988を使用したステッピングモータードライバモジュールです。
SiC(シリコンカーバイド)ショットキーバリアダイオードです。珪素(Si)と炭素(C)で構成される新しい素材です。シリコン(Si)と比較して耐圧、スイッチング特性に優れ、電力用半導体の新しい素材として期待されています。
放熱対策に最適なシリコングリスです。導電性はなく、注射器タイプで細かい部分への塗布が容易です。主にCPUやGPUの冷却に適しています。
シリコンNチャネルMOS形FETです。オン抵抗が低い(1.1mΩtyp)、漏れ電流が低い(10μAmax)といった特徴があります。Vthが低くロジック駆動に適しています。業界標準のTO-252(DPAK)パッケージですので置き換えも容易です。
スナバーレストライアックは、従来のトライアックで必要だったスナバ回路（RCネットワーク）を不要にした3象限トライアックです。交流回路のターンオフ時に発生する急峻な電圧上昇（dv/dt）に対する耐性を大幅に高めています。内部構造の最適化により、転流時の誤点弧を抑制し、スナバ回路なしでも安定したスイッチングが可能です。 主な特徴 ・回路の簡素化:外付け部品を減らせるため、基板の小型化とコスト低減が可能。 ・高いノイズ耐性:誘導性負荷（モーターやソレノイド）の制御でも誤動作しにくい。 ・信頼性向上: 部品点数の削減により、故障リスクを低減。
TO-220フルモールドパッケージ、NchパワーMOSFETです。省エネを実現する低耐圧トレンチ構造のU-MOS Ⅷ-Hプロセスにより卓越した低オン抵抗(2.2mΩ@VGS=10V)、低ゲート入力電荷量(Qg:140nC@VGS=10V)を実現しています。スイッチングレギュレータ、DCDCコンバータ等に最適です。漏れ電流も少なくなっています(IDSS:10μA@VDS=60V)。大電流が流せて使いやすいです。
三洋のTO-252パッケージ、汎用のNchMOSFETです。高耐圧(600V)、低オン抵抗(4.2Ω)、低Qg(8nC)が特徴です。業界標準のTO-252パッケージにより汎用性が高く放熱に優れています。
HEXFET®シリーズのNchパワーMOSFETです。極めて低いオン抵抗に加え、高速スイッチング対応で幅広い用途に適しています。放熱パッドを基板に直接貼り付ける形状、また、リードを複数備えることで、高い放熱性を実現しております。 ■特長 ・HEXFET® ・極めて低いオン抵抗 ・アバランシェ耐量保証
CYStechのNch MOSFETです。小型で高耐圧、大容量、小ゲート容量を特徴とします。
CYStechのNch MOSFETです。高耐圧(100V)、低ゲート容量、低オン抵抗を特徴とします。
CYStechのNch MOSFETです。大電流、高速スイッチング特性、小ゲート容量を特徴とします。
