熱対策部品 (25 件)

並び替え:
VNH5019使用DCモータードライバーモジュール
1451
熱対策部品

VNH5019使用DCモータードライバーモジュール

ブラシ付きDCモーター制御用のドライバーモジュールです。ST社製の高出力モータードライバーIC VNH5019を搭載しており、5.5V~24V のモーター電源に対応し、最大連続12Aの出力電流を供給することができます。

MP6550使用DCモータードライバーモジュール
4733
熱対策部品

MP6550使用DCモータードライバーモジュール

Monolithic Power Systems社製のHブリッジドライバーIC MP6550を搭載したモジュールです。 1.8V~22Vの幅広いモーター電源電圧で動作し、1.7Aの連続出力電流を供給できます。過電流、短絡、過熱保護、低電圧誤動作防止など各種保護機能を備えています。

両面銅張基板 [CEM-3] 150x100x1.6mm
129533
熱対策部品

両面銅張基板 [CEM-3] 150x100x1.6mm

両面の銅張基板(銅張積層板)です。銅箔面にペイントしたりレタリングテープを使用して回路パターンを作り、エッチングすると回路基板ができます。また、そのままシールド板等としての使い方ができます。 ※表面には茶色の変色があります、製造直後から空気に触れるため無くすことができません。必要に応じて磨いてください。

銀レス鉛フリーはんだ 精密プリント基板用 Φ0.8mm
SD-72
熱対策部品

銀レス鉛フリーはんだ 精密プリント基板用 Φ0.8mm

精密プリント基板用、銀を含まない鉛フリーはんだです。 環境に配慮した紙製のパッケージを採用し、パッケージ内の中仕切りをはんだ保護ケースとしてお使いいただけます。 また、プラスチックケース(販売コード:118342)のお取り扱いもございます。 こちらはお客様からご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお聞かせください。 商品リクエスト入力フォーム

NchパワーMOSFET 600V20A PJMF190N60E1
PJMF190N60E1_T0_00001
熱対策部品

NchパワーMOSFET 600V20A PJMF190N60E1

スーパージャンクション構造のパワーMOSFETです。高速スイッチングと低オン抵抗を実現しています。 こちらはお客様からご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお聞かせください。 商品リクエスト入力フォーム

ブリッジダイオード 1000V 15A GBJ1510
GBJ1510_T0_00601
熱対策部品

ブリッジダイオード 1000V 15A GBJ1510

1000V高耐圧・大電流用ブリッジダイオードです。電源の整流回路に最適です。 こちらはお客様からご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお聞かせください。 商品リクエスト入力フォーム

温度調整機能付USBはんだこて T80
T80
熱対策部品

温度調整機能付USBはんだこて T80

T80は温度調節可能な多機能はんだこてです。OLEDディスプレイを備え、電源のUSB-typeCはPD/QC給電をサポートしています。高速加熱で温度回復も速いです。小型で持ち運びが簡単、電池式のはんだごてと比べ本体が軽いですので長時間の作業でも安定した作業が行えます。

温度調整機能付USB接続はんだこて T65
T65
熱対策部品

温度調整機能付USB接続はんだこて T65

T65は温度調節可能な多機能はんだこてです。OLEDディスプレイを備え、電源のUSB-typeCはPD/QC給電をサポートしています。高速加熱で温度回復も速いです。小型で持ち運びが簡単、電池式のはんだごてと比べ本体が軽いですので長時間の作業でも安定した作業が行えます。 ※付属するこて先はBC2ですが、印字は「T65-I BH」となっております。

NchパワーMOSFET 60V36A MTB020N06KJ3
MTB020N06KJ3
熱対策部品

NchパワーMOSFET 60V36A MTB020N06KJ3

CystechのNch MOSFETです。中耐圧(60V)、大電流(36A)、低Qg(19nC)を特徴とします。Vgs=4.5Vでのオン抵抗は23mΩと小さく、ロジックレベルでの駆動が可能です。業界標準のTO-252(DPAK)パッケージで放熱に優れています。

NchパワーMOSFET 60V28A MTB010N06RJ3
MTB010N06RJ3
熱対策部品

NchパワーMOSFET 60V28A MTB010N06RJ3

CystechのNch MOSFETです。中耐圧(60V)、大電流(28A)、低Qg(20nC)を特徴とします。Vgs=4.5Vでのオン抵抗は24mΩと小さく、ロジックレベルでの駆動が可能です。業界標準のTO-252(DPAK)パッケージで放熱に優れています。 こちらはお客様からご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお待ちしております。 商品リクエスト入力フォーム

NchパワーMOSFET 80V70A TK5R1A08QM
TK5R1A08QMS4X(S
熱対策部品

NchパワーMOSFET 80V70A TK5R1A08QM

TO-220パッケージ(フルモールド)、NchパワーMOSFETです。省エネを実現する低耐圧トレンチ構造のU-MOS X-Hプロセスにより低オン抵抗(5.3mΩ@VGS=10V)、低ゲート入力電荷量(39nC@VGS=10V)を実現しています。

パワートランジスター 2SA1441
2SA1441
熱対策部品

パワートランジスター 2SA1441

2SA1441は高速スイッチング用で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が特に小さくなる様開発されたモールド・パワートランジスタです。スイッチング・レギュレータ、DC-DCコンバータ、モータ・ドライバ、ソレノイド・ドライバなど低電圧電源機器の大電流スイッチング用途に最適です。hFEのリニアリティが良好(1Aまでは特に平坦)ですのでオーディオ用にも適しています。 ■特徴 ・絶縁板および絶縁ブッシングが不要なモールドパッケージです。 ・コレクタ飽和電圧が小さい。VCE(sat)=-0.3V MAX(@-0.3A) ・スイッチング・スピードが速い。tf=0.3μs MAX(@-3.0A) ・直流電流増幅率が高く、リニアリティが優れています。